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DMG4N60SK3-13备选型号: IPD70R2K0CEAUMA1
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- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633.7A Tc4.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel2.3 Ω @ 2A, 10V532pF @ 25V14.3nC @ 10V600V±30V3.7AROHS3 Compliant------------------
MOSFET N-CH TO252-318 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6342W Tc3.5V @ 70μA-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3-活跃1 (Unlimited)-Tin (Sn)未说明未说明N-Channel2 Ω @ 1A, 10V163pF @ 100V7.8nC @ 10V-±20V4AROHS3 CompliantSILICONCoolMOS™2SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素700V2Ohm6.3A11 mJ超级交界处not_compliant含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-Channel 600 V 4.3 A 1000 mO 13 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK | 对比 |
 | FQD5N60CTM-WS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 2.8A | 对比 |
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