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首页 全部分类 DMG4N65CTI vs FQPF5N60C

DMG4N65CTI备选型号: FQPF5N60C

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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 系列
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMG4N65CTI
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
    8 Weeks
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
    通孔
    通孔
    3
    2.299997g
    SILICON
    8.35W Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2012
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    15.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 250μA
    900pF @ 25V
    13.5nC @ 10V
    13.8ns
    ±30V
    16 ns
    4A
    TO-220AB
    30V
    4A
    3Ohm
    650V
    6A
    456 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF5N60C
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
    4 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    2.27g
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5 Ω @ 2.25A, 10V
    4V @ 250μA
    670pF @ 25V
    19nC @ 10V
    42ns
    ±30V
    46 ns
    4.5A
    TO-220AB
    30V
    -
    -
    600V
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
    QFET®
    yes
    EAR99
    600V
    4.5A
    Single
    33W
    ISOLATED
    4V
    9.19mm
    10.16mm
    4.7mm
    无铅
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