STMicroelectronics STP5NK80ZFP
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STP5NK80ZFP
2381-STP5NK80ZFP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP Tube
--最小包装量--
STP5NK80ZFP详情
STMicroelectronics STP5NK80ZFP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.3A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4.5V @ 100μA
Turn Off Delay Time
45 ns
Power Dissipation (Max)
30W Tc
Number of Elements
1
系列
PowerMESH™
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
2.4Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
基本部件号
STP5N
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
30W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.4 Ω @ 2.15A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
910pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45.5nC @ 10V
上升时间
25ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
30 ns
连续放电电流(ID)
4.3A
阈值电压
3.75V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
800V
高度
9.3mm
宽度
4.6mm
长度
10.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
STP5NK80ZFP拓展信息
STMicroelectronics
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