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首页 全部分类 DMG4N65CTI vs STP5NK80ZFP

DMG4N65CTI备选型号: STP5NK80ZFP

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  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • 引脚数量
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMG4N65CTI
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
    8 Weeks
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
    通孔
    通孔
    3
    2.299997g
    SILICON
    8.35W Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2012
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    15.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 250μA
    900pF @ 25V
    13.5nC @ 10V
    13.8ns
    ±30V
    16 ns
    4A
    TO-220AB
    30V
    4A
    3Ohm
    650V
    6A
    456 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP5NK80ZFP
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP Tube
    12 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    4.535924g
    SILICON
    4.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    -
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4 Ω @ 2.15A, 10V
    4.5V @ 100μA
    910pF @ 25V
    45.5nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    30 ns
    4.3A
    -
    30V
    -
    -
    800V
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    PowerMESH™
    EAR99
    2.4Ohm
    STP5N
    Single
    30W
    ISOLATED
    3.75V
    9.3mm
    10.4mm
    4.6mm
    无铅
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