DMG563010R备选型号: DTC143ZKAT146
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- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 极性
- 元素配置
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
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- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
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- 达到SVHC
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终端
- 端子表面处理
- 最小工作温度
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 引脚数量
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 功率耗散
- 转换频率
- 频率转换
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm10 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD (5 Leads), Flat Lead5SILICON50VTape & Reel (TR)2010Discontinued1 (Unlimited)5EAR99150°CBUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 1150mW未说明未说明DMG56301NPN, PNPDualSWITCHING1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)250mV100mA35 @ 5mA 10V500nA250mV @ 500μA, 10mA50V10k Ω-100mA10k ΩUnknown符合RoHS标准---------------------
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT313 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-50VTape & Reel (TR)2006活跃1 (Unlimited)3EAR99150°CBUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10200mW26010DTC143NPNSingleSWITCHINGNPN - Pre-Biased300mV100mA80 @ 10mA 5V500nA300mV @ 250μA, 5mA50V4.7 k Ω100mA47 k Ω无SVHCROHS3 Compliante1yesSMD/SMTTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)-55°C8541.21.00.7550VDUAL鸥翼100mA3100mA50V200mW250MHz250MHz1.1mm2.9mm1.6mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMC5610M0R | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 5-SMD, Flat Leads | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm | 对比 |
| DTC143ZKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | 对比 | |
| DTC123JKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | 对比 |



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