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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.366921
10
¥1.289553
100
¥1.216557
500
¥1.1477
1000
¥1.082733
Panasonic Electronic Components DMG563010R
- 收藏
- 对比
DMG563010R
1850-DMG563010R
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
大陆
立即发货

Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMG563010R详情
Panasonic Electronic Components DMG563010R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 1
最大功率耗散
150mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
DMG56301
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
250mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
35 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 500μA, 10mA
最大击穿电压
50V
电阻基(R1)
10k Ω
连续集电极电流
-100mA
电阻-发射极基极(R2)
10k Ω
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
符合RoHS标准
DMG563010R拓展信息
Panasonic Electronic Components
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