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首页 全部分类 DMG8601UFG-7 vs DMN2016LHAB-7

DMG8601UFG-7备选型号: DMN2016LHAB-7

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DMG8601UFG-7
    Diodes Incorporated
    Dual N-Channel 20 V 34 mOhm 8.8 nC 0.92 W Silicon Surface Mount Mosfet - UDFN-8
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2011
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    920mW
    无铅
    260
    40
    DMG8601UFG
    8
    R-PDSO-N5
    不合格
    2
    增强型MOSFET
    53 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    23m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.05V @ 250μA
    143pF @ 10V
    8.8nC @ 4.5V
    78ns
    20V
    234 ns
    6.1A
    12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2016LHAB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
    14 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    -
    7.5A
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    1.2W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    6.9 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    15.5mOhm @ 4A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    1550pF @ 10V
    16nC @ 4.5V
    15.5ns
    20V
    12 ns
    7.5A
    12V
    -
    逻辑电平门
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    U-DFN2030-6
    150°C
    -55°C
    Dual
    1.2W
    20V
    1.55nF
    30mOhm
    15.5 mΩ
    600μm
    2.05mm
    3.05mm
    无
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