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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.115163
10
¥6.712418
100
¥6.332467
500
¥5.974027
1000
¥5.635876
Diodes Incorporated DMN2016LHAB-7
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- 对比
DMN2016LHAB-7
671-DMN2016LHAB-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-UDFN Exposed Pad
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MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN2016LHAB-7详情
Diodes Incorporated DMN2016LHAB-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
引脚数
6
供应商器件包装
U-DFN2030-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.5A
Turn Off Delay Time
40.9 ns
已出版
2013
包装
Cut Tape (CT)
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
1.2W
通道数量
2
元素配置
Dual
接通延迟时间
6.9 ns
功率 - 最大
1.2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs
15.5mOhm @ 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1550pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16nC @ 4.5V
上升时间
15.5ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
7.5A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
输入电容
1.55nF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
30mOhm
最大rds
15.5 mΩ
高度
600μm
长度
2.05mm
宽度
3.05mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
DMN2016LHAB-7拓展信息
Diodes Incorporated
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