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首页 全部分类 DMG8822UTS-13 vs NTQD6968NR2

DMG8822UTS-13备选型号: NTQD6968NR2

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Diodes Incorporated
    DMG8822UTS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
    20 Weeks
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    4.9A Ta
    2009
    Automotive, AEC-Q101
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    870mW
    鸥翼
    260
    40
    8
    2
    增强型MOSFET
    7.8 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    25m Ω @ 8.2A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    841pF @ 10V
    9.6nC @ 4.5V
    21.1ns
    10.1 ns
    4.9A
    8V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTQD6968NR2
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
    -
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    2
    2006
    -
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e0
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    逻辑电平兼容
    1.39W
    鸥翼
    240
    30
    8
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    22m Ω @ 7A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    630pF @ 16V
    17nC @ 4.5V
    25ns
    25 ns
    6.2A
    12V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    含铅
    20V
    not_compliant
    7A
    不合格
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    1.81W
    7A
    0.03Ohm
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