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首页 全部分类 DMG9N65CTI vs FQPF7N65C

DMG9N65CTI备选型号: FQPF7N65C

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  • 通道数量
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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMG9N65CTI
    Diodes Incorporated
    MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
    3
    2.299997g
    SILICON
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2012
    e3
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    260
    40
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    39 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3 Ω @ 4.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2310pF @ 25V
    39nC @ 10V
    29ns
    650V
    ±30V
    28 ns
    9A
    TO-220AB
    30V
    9A
    650V
    16.07mm
    16.07mm
    4.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF7N65C
    ON Semiconductor
    MOSFET 650V N-Channel Adv Q-FET C-Series
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    快速切换
    未说明
    未说明
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 3.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1245pF @ 25V
    36nC @ 10V
    50ns
    -
    ±30V
    55 ns
    7A
    TO-220AB
    30V
    7A
    -
    9.19mm
    10.16mm
    4.7mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    QFET®
    EAR99
    1.4Ohm
    650V
    not_compliant
    7A
    不合格
    52W
    ISOLATED
    4V
    650V
    28A
    无铅
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