您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 DMG9N65CTI vs STF10N65K3

DMG9N65CTI备选型号: STF10N65K3

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Diodes Incorporated
    DMG9N65CTI
    Diodes Incorporated
    MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
    3
    2.299997g
    SILICON
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2012
    e3
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    260
    40
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    39 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3 Ω @ 4.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2310pF @ 25V
    39nC @ 10V
    29ns
    650V
    ±30V
    28 ns
    9A
    TO-220AB
    30V
    9A
    650V
    16.07mm
    16.07mm
    4.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF10N65K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    14.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 3.6A, 10V
    4.5V @ 100μA
    1180pF @ 25V
    42nC @ 10V
    14ns
    -
    ±30V
    35 ns
    10A
    TO-220AB
    30V
    -
    -
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    SuperMESH3™
    EAR99
    SINGLE
    STF10N
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    35W
    ISOLATED
    3V
    0.85Ohm
    650V
    40A
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FQPF7N65C FQPF7N65C ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET 650V N-Channel Adv Q-FET C-Series 对比
FCPF380N65FL1 FCPF380N65FL1 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220 对比
STF10N65K3 STF10N65K3 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP 对比