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首页 全部分类 DMMT2907A-7 vs RN4606(TE85L,F)

DMMT2907A-7备选型号: RN4606(TE85L,F)

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  • 最大集电极电流
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • Diodes Incorporated
    DMMT2907A-7
    Diodes Incorporated
    Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 6-Pin SOT-26 T/R
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    60V
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.28W
    鸥翼
    260
    40
    DMMT2907
    6
    PNP
    Dual
    900mW
    SWITCHING
    307MHz
    2 PNP (Dual)
    1.6V
    600mA
    100 @ 150mA 10V
    10nA ICBO
    1.6V @ 50mA, 500mA
    307MHz
    60V
    -60V
    -5V
    -600mA
    200ns
    21ns
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN4606(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP NPN 100mA -50V
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    -
    SILICON
    50V
    -
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    300mW
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN, PNP
    Dual
    -
    -
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    80 @ 10mA 5V
    100μA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    50V
    -
    5V
    100mA
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    200MHz 250MHz
    4.7k Ω
    47k Ω
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