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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.425059
10
¥3.23119
100
¥3.048287
500
¥2.875748
1000
¥2.712967
Diodes Incorporated DMB2227A-7
- 收藏
- 对比
DMB2227A-7
671-DMB2227A-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-23-6
大陆
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Bipolar Transistors - BJT 300mW /-600mA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMB2227A-7详情
Diodes Incorporated DMB2227A-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
引脚数
6
质量
29.993795mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Number of Elements
2
hFEMin
35
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
300mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
300MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
300mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
300MHz
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
1V
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 10V
最大集极截止电流
10nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V 60V
转换频率
300MHz
最大击穿电压
60V
频率转换
300MHz 200MHz
集电极基极电压(VCBO)
75V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMB2227A-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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