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DMN1019UVT-13备选型号: DMC25D1UVT-7
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 最大功率耗散
- 场效应管特性
Mosfet Bvdss: 8V~24V TSOT26 T&r 10K14 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6SILICON10.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼未说明未说明R-PDSO-G6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 9.7A, 4.5V800mV @ 250μA2588pF @ 10V50.4nC @ 8V12V±8V10.7A0.01Ohm70A12V4.7 mJROHS3 Compliant--- MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT2614 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6-500mA 3.9A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3活跃1 (Unlimited)-EAR99Matte Tin (Sn)--26030---N and P-Channel-4 Ω @ 400mA, 4.5V1.5V @ 250μA27.6pF @ 10V0.9nC @ 10V25V 12V-3.9A----ROHS3 Compliant1.3WStandard
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFTS8342TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP | 对比 |
 | CPH6337-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 | 对比 |
| DMC25D1UVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 | 对比 |
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