Diodes Incorporated DMN1019UVT-13

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.73W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 9.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

800mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2588pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50.4nC @ 8V

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

10.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.01Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

70A

DS 击穿电压-最小值

12V

雪崩能量等级（Eas）

4.7 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant