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首页 全部分类 DMN1029UFDB-7 vs DMN1032UCB4-7

DMN1029UFDB-7备选型号: DMN1032UCB4-7

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • Diodes Incorporated
    DMN1029UFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1.4W
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    1.4W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    29m Ω @ 5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    914pF @ 6V
    19.6nC @ 8V
    12V
    5.6A
    0.029Ohm
    12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN1032UCB4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W
    34 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, WLBGA
    SILICON
    4.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    BALL
    未说明
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 1A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    450pF @ 6V
    4.5nC @ 4.5V
    -
    4.8A
    0.038Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    4
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    1
    Single
    3.3 ns
    5.6ns
    ±8V
    9 ns
    8V
    12V
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMN1032UCB4-7 DMN1032UCB4-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 4-UFBGA, WLBGA MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W 对比