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首页 全部分类 DMN10H170SFG-7 vs FQD13N10LTM

DMN10H170SFG-7备选型号: FQD13N10LTM

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • RoHS状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN10H170SFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
    6 Weeks
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    8
    940mW Ta
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    Single
    4.4 ns
    N-Channel
    122m Ω @ 3.3A, 10V
    870.7pF @ 25V
    14.9nC @ 10V
    2.3ns
    100V
    ±20V
    3.4 ns
    8.5A
    20V
    3.35mm
    850μm
    3.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD13N10LTM
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
    4 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    3
    10A Tc
    2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    e3
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    7.5 ns
    N-Channel
    180m Ω @ 5A, 10V
    520pF @ 25V
    12nC @ 5V
    220ns
    -
    ±20V
    72 ns
    10A
    20V
    6.1mm
    2.3mm
    6.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    260.37mg
    SILICON
    QFET®
    yes
    2
    100V
    鸥翼
    10A
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    SWITCHING
    2V
    0.2Ohm
    100V
    40A
    95 mJ
    无SVHC
    无铅
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