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首页 全部分类 DMN10H170SFG-7 vs IRFR120NTRPBF

DMN10H170SFG-7备选型号: IRFR120NTRPBF

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  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN10H170SFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
    6 Weeks
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    8
    940mW Ta
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    Single
    4.4 ns
    N-Channel
    122m Ω @ 3.3A, 10V
    870.7pF @ 25V
    14.9nC @ 10V
    2.3ns
    100V
    ±20V
    3.4 ns
    8.5A
    20V
    3.35mm
    850μm
    3.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR120NTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    3
    9.4A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    4.5 ns
    N-Channel
    210mOhm @ 5.6A, 10V
    330pF @ 25V
    25nC @ 10V
    23ns
    100V
    ±20V
    23 ns
    9.4A
    20V
    6.22mm
    2.52mm
    6.7056mm
    无
    ROHS3 Compliant
    Tin
    D-Pak
    HEXFET®
    SMD/SMT
    210mOhm
    175°C
    -55°C
    100V
    9.1A
    1
    39W
    4V
    100V
    100V
    330pF
    150 ns
    175°C
    210mOhm
    210 mΩ
    4 V
    无SVHC
    无铅
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