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首页 全部分类 DMN10H220L-7 vs CPH3462-TL-W

DMN10H220L-7备选型号: CPH3462-TL-W

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 已出版
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  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 通道数量
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 无铅代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN10H220L-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
    23 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    1.437803g
    SILICON
    4.5V 10V
    2.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    DMN10H220
    R-PDSO-G3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    6.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 1.6A, 10V
    401pF @ 25V
    8.3nC @ 10V
    8.2ns
    ±16V
    3.6 ns
    1.4A
    16V
    0.22Ohm
    100V
    150°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    CPH3462-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 1A CPH3
    7 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    -
    SILICON
    1A Ta
    2.6V @ 1mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    R-PDSO-G3
    1
    -
    增强型MOSFET
    -
    4 ns
    N-Channel
    -
    785m Ω @ 1A, 10V
    155pF @ 20V
    3.4nC @ 10V
    2.8ns
    ±20V
    11 ns
    1A
    20V
    0.785Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    yes
    260
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    100V
    1A
    not_compliant
    无铅
  • 添加型号
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