Diodes Incorporated DMN10H220L-7

工厂交货时间

23 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

质量

1.437803g

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

1.3W Ta

Turn Off Delay Time

7.9 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.4A Ta

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

DMN10H220

JESD-30代码

R-PDSO-G3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.3W

接通延迟时间

6.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

220m Ω @ 1.6A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

401pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.3nC @ 10V

上升时间

8.2ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

3.6 ns

连续放电电流(ID)

1.4A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏极-源极导通最大电阻

0.22Ohm

漏源击穿电压

100V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant