DMN10H220L-7备选型号: FDN336P
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 系列
- 无铅代码
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-2323 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装1.437803gSILICON4.5V 10V2.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼DMN10H220R-PDSO-G31Single增强型MOSFET1.3W6.8 nsN-ChannelSWITCHING220m Ω @ 1.6A, 10V401pF @ 25V8.3nC @ 10V8.2ns±16V3.6 ns1.4A16V0.22Ohm100V150°C1.1mmROHS3 Compliant-----------------
- Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R10 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装30mgSILICON1.3A Ta1.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e3ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)1 (Unlimited)3EAR99--DUAL鸥翼---Single增强型MOSFET500mW7 nsP-ChannelSWITCHING200m Ω @ 1.3A, 4.5V330pF @ 10V5nC @ 4.5V12ns±8V12 ns1.2A8V--20V-940μmROHS3 CompliantTin3PowerTrench®yesSMD/SMT200mOhm-20V-1.3A20V-900mV-20V-900 mV2.92mm1.4mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDN5618P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3 | 对比 |
![]() | FDN336P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
![]() | IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3 | 对比 |





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