DMN1150UFL3-7备选型号: NTMSD2P102R2SG
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 无铅
- MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN131017 Weeks表面贴装表面贴装6-XFDFN Exposed Pad8-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016e4yes活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)390mW未说明未说明390mW2 N-Channel (Dual)150m Ω @ 1A, 4.5V1V @ 250μA115pF @ 6V1.4nC @ 4.5V12V2AStandardROHS3 Compliant----
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-Tape & Reel (TR)-2007--Obsolete3 (168 Hours)--710mW---P-Channel90m Ω @ 2.4A, 4.5V-750pF @ 16V18nC @ 4.5V20V2.3ASchottky Diode (Isolated)符合RoHS标准2.3A Ta-20V-2.3A无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMSD2P102LR2 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 对比 | |
| NTMSD3P102R2 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | 对比 | |
| NTMSD2P102R2SG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 对比 |



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