DMN1150UFL3-7备选型号: NTMSD3P102R2
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 无铅
- MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN131017 Weeks表面贴装表面贴装6-XFDFN Exposed Pad8-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016e4yes活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)390mW未说明未说明390mW2 N-Channel (Dual)150m Ω @ 1A, 4.5V1V @ 250μA115pF @ 6V1.4nC @ 4.5V12V2AStandardROHS3 Compliant-----------------------
- MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FETKY™2007e0-Obsolete1 (Unlimited)EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)-24030-P-Channel85m Ω @ 3.05A, 10V2.5V @ 250μA750pF @ 16V25nC @ 10V-2.34ASchottky Diode (Isolated)Non-RoHS CompliantSILICON2.34A Ta8-20VDUAL鸥翼not_compliant-3.05A8R-PDSO-G8不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2WSWITCHING16ns±20V45 ns20V0.085Ohm-20V135 pF含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMSD2P102LR2 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 对比 | |
| NTMSD3P102R2 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | 对比 | |
| NTMSD2P102R2SG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 对比 |



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