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DMN1260UFA-7B备选型号: DMP1555UFA-7B
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电容量
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-315 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN3SILICON500mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e4活跃1 (Unlimited)2EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)60pF无铅未说明未说明R-PSSO-N21Single增强型MOSFETDRAIN7.4 nsN-ChannelSWITCHING366m Ω @ 200mA, 4.5V1V @ 250μA60pF @ 10V0.96nC @ 4.5V18.8ns±8V59.2 ns500mA8V0.5A12VROHS3 Compliant--- MOSFET 12 P-Ch Enh FET 8 VGS 55.4pF 0.84nC6 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN3SILICON1.5V 4.5V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e4活跃1 (Unlimited)2EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)55.4pF无铅未说明未说明R-PSSO-N21Single增强型MOSFETDRAIN16 nsP-ChannelSWITCHING800m Ω @ 200mA, 4.5V1V @ 250μA55.4pF @ 10V0.84nC @ 4.5V62ns±8V186 ns200mA8V0.2A-ROHS3 Compliant12V0.8Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 | 对比 |
 | FDG6316P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ON SEMICONDUCTOR - FDG6316P - Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Surface Mount | 对比 |
 | DMP1045U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | P-Channel 12 V 31 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 | 对比 |
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