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首页 全部分类 DMN1260UFA-7B vs FDG6316P

DMN1260UFA-7B备选型号: FDG6316P

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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 系列
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN1260UFA-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    500mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    60pF
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PSSO-N2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    366m Ω @ 200mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    60pF @ 10V
    0.96nC @ 4.5V
    18.8ns
    ±8V
    59.2 ns
    500mA
    8V
    0.5A
    12V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG6316P
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDG6316P - Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Surface Mount
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    700mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    -
    5 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    270m Ω @ 700mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    146pF @ 6V
    2.4nC @ 4.5V
    13ns
    -
    13 ns
    -700mA
    8V
    0.7A
    -12V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    28mg
    PowerTrench®
    yes
    270MOhm
    -12V
    300mW
    -700mA
    300mW
    12V
    -600mV
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    无铅
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