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DMN13H750S-7备选型号: DMN10H700S-7
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- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 130V 1A SOT2323 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3770mW Ta4V @ 250μA2015-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel750m Ω @ 2A, 10V231pF @ 25V5.6nC @ 10V130V±20V1AROHS3 Compliant-------------- MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT2317 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3700mA Ta4V @ 250μA2016-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel700m Ω @ 1.5A, 10V235pF @ 50V4.6nC @ 10V100V±20V700mAROHS3 CompliantSILICONAutomotive, AEC-Q1013HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING0.7A0.7Ohm100V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | CPH3462-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 1A CPH3 | 对比 |
| DMN10H700S-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET NCH 100V 700MA SOT23 | 对比 |
| DMN10H700S-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23 | 对比 |
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