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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.50916
10
¥1.423736
100
¥1.343148
500
¥1.26712
1000
¥1.195396
Diodes Incorporated DMN13H750S-7
- 收藏
- 对比
DMN13H750S-7
671-DMN13H750S-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN13H750S-7详情
Diodes Incorporated DMN13H750S-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max)
770mW Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
已出版
2015
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
750m Ω @ 2A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
231pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.6nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
130V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
1A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN13H750S-7拓展信息
Diodes Incorporated
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