DMN15H310SE-13备选型号: DMP10H400SE-13

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 150V 2A SOT223
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    SILICON
    2A Ta 7.1A Tc
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    310m Ω @ 1.5A, 10V
    405pF @ 25V
    8.7nC @ 10V
    150V
    ±20V
    7.1A
    2A
    0.31Ohm
    10A
    150V
    1.45 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
  • Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    SILICON
    2.3A Ta 6A Tc
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 5A, 10V
    1239pF @ 25V
    17.5nC @ 10V
    100V
    ±20V
    6A
    2.3A
    0.3Ohm
    10A
    100V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
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