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首页 全部分类 DMN2004DWK-7 vs BSD816SNH6327XTSA1

DMN2004DWK-7备选型号: BSD816SNH6327XTSA1

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 系列
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • Diodes Incorporated
    DMN2004DWK-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET Dual N-Channel
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    SILICON
    2
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    550mOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    20V
    200mW
    鸥翼
    260
    540mA
    40
    DMN2004DWK
    6
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    200mW
    4.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    550m Ω @ 540mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    150pF @ 16V
    540mA
    1V
    8V
    0.54A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSD816SNH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL N-CH
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -
    -
    1.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    5.3 ns
    N-Channel
    -
    160m Ω @ 1.4A, 2.5V
    0.95V @ 3.7μA
    180pF @ 10V
    1.4A
    -
    8V
    -
    -
    -
    -
    -
    800μm
    2mm
    1.25mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    OptiMOS™
    0.6nC @ 2.5V
    9ns
    ±8V
    20V
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