DMN2004DWK-7备选型号: DMG1016UDW-7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 端子位置
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 辐射硬化
- MOSFET Dual N-Channel16 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-36366.010099mgSILICON2-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99550mOhmMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY20V200mW鸥翼260540mA40DMN2004DWK6不合格Dual增强型MOSFET200mW4.1 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING550m Ω @ 540mA, 4.5V1V @ 250μA150pF @ 16V540mA1V8V0.54A20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门1.1mm2.2mm1.35mm无SVHCROHS3 Compliant无铅-------
- MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair16 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-36366.010099mgSILICON1.07A 845mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99750mOhm-HIGH RELIABILITY-330mW鸥翼---DMG1016UDW6--增强型MOSFET330mW5.1 nsN and P-ChannelSWITCHING450m Ω @ 600mA, 4.5V1V @ 250μA60.67pF @ 10V-845mA1V6V-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门1.1mm2.2mm1.35mm无SVHCROHS3 Compliant无铅TinDUAL0.74nC @ 4.5V7.4nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL12.3 ns无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMC2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 | 对比 |
![]() | DMP2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363 | 对比 |
![]() | BSD816SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL N-CH | 对比 |




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