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首页 全部分类 DMN2005DLP4K-7 vs NTLTD7900ZR2G

DMN2005DLP4K-7备选型号: NTLTD7900ZR2G

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  • 场效应管类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Diodes Incorporated
    DMN2005DLP4K-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-XFDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    400mW
    BOTTOM
    260
    40
    DMN2005DLP4K
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    400mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 10mA, 4V
    900mV @ 100μA
    20V
    300mA
    10V
    3.5Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    350μm
    1.3mm
    1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTLTD7900ZR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.5W
    -
    260
    40
    NTLTD7900Z
    8
    -
    增强型MOSFET
    1.5W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    26m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    -
    6A
    12V
    0.026Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    防静电
    20V
    无铅
    9A
    不合格
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    DRAIN
    15pF @ 16V
    18nC @ 4.5V
    1.17ns
    1.17 ns
    6A
    30A
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