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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.467236
500
¥0.343558
1000
¥0.286294
2000
¥0.262653
5000
¥0.245474
10000
¥0.228348
15000
¥0.220837
50000
¥0.217146
Diodes Incorporated DMP22D4UFA-7B
- 收藏
- 对比
DMP22D4UFA-7B
671-DMP22D4UFA-7B
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XFDFN
大陆
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MOSFET P-CH 20V 0.33A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP22D4UFA-7B详情
Diodes Incorporated DMP22D4UFA-7B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XFDFN
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
330mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
400mW Ta
Turn Off Delay Time
31.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5.8 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.9 Ω @ 100mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
28.7pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.4nC @ 4.5V
上升时间
5.7ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
16.4 ns
连续放电电流(ID)
330mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.25A
漏源击穿电压
20V
高度
350μm
长度
650μm
宽度
850μm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP22D4UFA-7B拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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