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首页 全部分类 DMN2005LPK-7 vs DMN2005DLP4K-7

DMN2005LPK-7备选型号: DMN2005DLP4K-7

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 终止次数
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2005LPK-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UFDFN
    3
    SILICON
    440mA Ta
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    BOTTOM
    无铅
    260
    40
    3
    不合格
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 10mA, 4V
    1.2V @ 100μA
    ±10V
    440mA
    10V
    0.4A
    20V
    470μm
    1mm
    600μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2005DLP4K-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-XFDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    BOTTOM
    -
    260
    40
    6
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 10mA, 4V
    900mV @ 100μA
    -
    300mA
    10V
    -
    20V
    350μm
    1.3mm
    1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    400mW
    DMN2005DLP4K
    400mW
    20V
    3.5Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    无
    无铅
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