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首页 全部分类 DMN2005UFG-7 vs HUF76013D3S

DMN2005UFG-7备选型号: HUF76013D3S

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 系列
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2005UFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    72.007789mg
    18.1A Tc
    1.2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    6.495nF
    未说明
    未说明
    1
    Single
    12.4 ns
    N-Channel
    4.6m Ω @ 13.5A, 4.5V
    6495pF @ 10V
    164nC @ 10V
    25.7ns
    20V
    ±12V
    38 ns
    18.1A
    4.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HUF76013D3S
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    20A Tc
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2002
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    N-Channel
    22m Ω @ 20A, 10V
    624pF @ 20V
    17nC @ 10V
    93ns
    -
    ±20V
    29 ns
    20A
    20V
    符合RoHS标准
    UltraFET™
    20V
    20A
    50W
    20V
    无铅
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