DMN2010UDZ-7备选型号: BSO065N03MSGXUMA1

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 场效应管特性
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  • 供应商器件包装
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  • Vgs(最大值)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    700mW
    未说明
    未说明
    700mW
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    7m Ω @ 5.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    2665pF @ 10V
    33.2nC @ 4.5V
    24V
    11A
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin DSO T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    6.5mOhm @ 16A, 10V
    2V @ 250μA
    3100pF @ 15V
    40nC @ 10V
    30V
    13A
    -
    符合RoHS标准
    8
    PG-DSO-8
    13A Ta
    OptiMOS™
    150°C
    -55°C
    ±20V
    3.1nF
    6.5 mΩ
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