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DMN2010UDZ-7备选型号: DMT2004UFDF-7
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- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 系列
- Vgs（最大值）
MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-616 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)700mW未说明未说明700mW2 N-Channel (Dual) Common Drain7m Ω @ 5.5A, 4.5V1.5V @ 250μA2665pF @ 10V33.2nC @ 4.5V24V11AStandardROHS3 Compliant---
MOSFET BVDSS: 8V 24V,U-DFN2020-622 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016e4-活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)-未说明未说明-N-Channel6m Ω @ 9A, 10V1.45V @ 250μA1683pF @ 15V53.7nC @ 10V24V14.1A-ROHS3 Compliant14.1A TaAutomotive, AEC-Q101±12V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSO065N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin DSO T/R | 对比 |
 | BSZ058N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TSDSON | 对比 |
| DMT2004UFDF-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET BVDSS: 8V 24V,U-DFN2020-6 | 对比 |
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