DMN2010UDZ-7备选型号: ECH8693R-TL-W
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 引脚数量
- 通道数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-616 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)700mW未说明未说明700mW2 N-Channel (Dual) Common Drain7m Ω @ 5.5A, 4.5V1.5V @ 250μA2665pF @ 10V33.2nC @ 4.5V24V11AStandardROHS3 Compliant--------------------
- Trans MOSFET N-CH 24V 14A 8-Pin SOT-28 FL T/R17 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead150°C TJTape & Reel (TR)2015e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99-1.4W---2 N-Channel (Dual) Common Drain7m Ω @ 5A, 4.5V--13nC @ 4.5V24V14ALogic Level Gate, 2.5V DriveROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)Tin8SILICON2882增强型MOSFET545 nsSWITCHING525ns22.2 μs12.5V0.0091Ohm24V60AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSO065N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin DSO T/R | 对比 |
![]() | BSZ058N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TSDSON | 对比 |
![]() | DMT2004UFDF-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET BVDSS: 8V 24V,U-DFN2020-6 | 对比 |






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