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首页 全部分类 DMN2011UFX-7 vs DMN2013UFDE-7

DMN2011UFX-7备选型号: DMN2013UFDE-7

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DMN2011UFX-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-VFDFN Exposed Pad
    12.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    2.1W
    未说明
    未说明
    2 N-Channel (Dual)
    9.5m Ω @ 10A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2248pF @ 10V
    56nC @ 10V
    20V
    12.2A
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2013UFDE-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    10.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    260
    40
    N-Channel
    11m Ω @ 8.5A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    2453pF @ 10V
    25.8nC @ 8V
    20V
    10.5A
    -
    ROHS3 Compliant
    6
    SILICON
    yes
    3
    BOTTOM
    6
    S-PBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9.9 ns
    SWITCHING
    24.5ns
    ±8V
    20.8 ns
    8V
    20V
    580μm
    2.05mm
    2.05mm
    无SVHC
    无
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