Diodes Incorporated DMP2008UFG-13

工厂交货时间

19 Weeks

包装/外壳

8-PowerVDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

Turn Off Delay Time

291 ns

Power Dissipation (Max)

2.4W Ta 41W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Ta 54A Tc

已出版

2014

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

S-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 12A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6909pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

72nC @ 4.5V

上升时间

33ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

124 ns

连续放电电流(ID)

12A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

14A

DS 击穿电压-最小值

20V

雪崩能量等级（Eas）

113 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC