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首页 全部分类 DMN2011UFX-7 vs ECH8693R-TL-W

DMN2011UFX-7备选型号: ECH8693R-TL-W

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 场效应管特性
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  • 生命周期状态
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
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  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2011UFX-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-VFDFN Exposed Pad
    12.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    2.1W
    未说明
    未说明
    2 N-Channel (Dual)
    9.5m Ω @ 10A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2248pF @ 10V
    56nC @ 10V
    20V
    12.2A
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ECH8693R-TL-W
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 24V 14A 8-Pin SOT-28 FL T/R
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e6
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    1.4W
    -
    -
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    7m Ω @ 5A, 4.5V
    -
    -
    13nC @ 4.5V
    24V
    14A
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    8
    SILICON
    yes
    8
    8
    2
    增强型MOSFET
    545 ns
    SWITCHING
    525ns
    22.2 μs
    12.5V
    0.0091Ohm
    24V
    60A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    无
    无铅
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