您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 DMN2016LFG-7 vs DMG8601UFG-7

DMN2016LFG-7备选型号: DMG8601UFG-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • Diodes Incorporated
    DMN2016LFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    18mOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    770mW
    260
    40
    DMN2016L
    AEC-Q101
    S-PDSO-N5
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    2.6 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    18m Ω @ 6A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    1472pF @ 10V
    16nC @ 4.5V
    13.2ns
    20V
    46.8 ns
    5.2A
    8V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG8601UFG-7
    Diodes Incorporated
    Dual N-Channel 20 V 34 mOhm 8.8 nC 0.92 W Silicon Surface Mount Mosfet - UDFN-8
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2011
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    HIGH RELIABILITY
    920mW
    260
    40
    DMG8601UFG
    -
    R-PDSO-N5
    2
    -
    增强型MOSFET
    53 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    23m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.05V @ 250μA
    143pF @ 10V
    8.8nC @ 4.5V
    78ns
    20V
    234 ns
    6.1A
    12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Gold
    无铅
    8
    不合格
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-PowerUDFN Dual N-Channel 20 V 34 mOhm 8.8 nC 0.92 W Silicon Surface Mount Mosfet - UDFN-8 对比
DMP2066UFDE-7 DMP2066UFDE-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-UDFN Exposed Pad MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN 对比
NTLTD7900ZR2G NTLTD7900ZR2G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-VDFN Exposed Pad MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO 对比