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首页 全部分类 DMN2022UNS-13 vs IRLHS6242TRPBF

DMN2022UNS-13备选型号: IRLHS6242TRPBF

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  • ECCN 代码
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2022UNS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    10.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1.2W
    未说明
    未说明
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    10.8m Ω @ 4A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1870pF @ 10V
    20.3nC @ 4.5V
    20V
    10.7A
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLHS6242TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    10A Ta 12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    11.7m Ω @ 8.5A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    1110pF @ 10V
    14nC @ 4.5V
    -
    10A
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    HEXFET®
    6
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    9.6W
    DRAIN
    5.8 ns
    SWITCHING
    15ns
    ±12V
    13 ns
    800mV
    12V
    20V
    88A
    800 mV
    950μm
    2.1mm
    2.1mm
    无SVHC
    无
    无铅
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