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首页 全部分类 DMN2028UFDH-7 vs MCH6437-TL-W

DMN2028UFDH-7备选型号: MCH6437-TL-W

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  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2028UFDH-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1.1W
    260
    40
    2
    增强型MOSFET
    53 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    20m Ω @ 4A, 10V
    1V @ 250μA
    151pF @ 10V
    8.5nC @ 4.5V
    77ns
    20V
    234 ns
    6.8A
    12V
    0.036Ohm
    20V
    40A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    800μm
    3.05mm
    3.05mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH6437-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 7A MCPH6
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    7A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    e6
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    6
    -
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    9.7 ns
    N-Channel
    -
    24m Ω @ 4A, 4.5V
    -
    660pF @ 10V
    8.4nC @ 4.5V
    53ns
    20V
    65 ns
    7A
    12V
    0.024Ohm
    -
    28A
    -
    -
    -
    -
    -
    not_compliant
    -
    ROHS3 Compliant
    1.3V @ 1mA
    防静电
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ±12V
    7A
    20V
    无铅
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