Diodes Incorporated DMN2020LSN-7

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.9A Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.5V @ 250μA

Turn Off Delay Time

35.89 ns

Power Dissipation (Max)

610mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

已出版

2011

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

610mW

接通延迟时间

11.67 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 9.4A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1149pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.6nC @ 4.5V

上升时间

12.49ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

12.33 ns

连续放电电流(ID)

6.9A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

宽度

1.7mm

长度

3.1mm

高度

1.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅