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首页 全部分类 DMN2029USD-13 vs DMN3024LSD-13

DMN2029USD-13备选型号: DMN3024LSD-13

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 质量
  • 无铅代码
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • Diodes Incorporated
    DMN2029USD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
    23 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    119.3 ns
    2013
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.2W
    鸥翼
    260
    30
    AEC-Q101
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    16.5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    25m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1171pF @ 10V
    18.6nC @ 8V
    33.3ns
    20V
    53.5 ns
    5.8A
    8V
    0.025Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    3.95mm
    4.95mm
    1.5mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN3024LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
    17 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    6.8A
    2009
    Digi-Reel®
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    1.8W
    鸥翼
    260
    40
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    24m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    608pF @ 15V
    12.9nC @ 10V
    3.3ns
    -
    8 ns
    7.2A
    20V
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    73.992255mg
    yes
    DMN3024LSD
    8
    2W
    5.7A
    30V
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