Diodes Incorporated DMN2029USD-13

工厂交货时间

23 Weeks

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

119.3 ns

Number of Elements

2

已出版

2013

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

参考标准

AEC-Q101

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

16.5 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 6.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1171pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18.6nC @ 8V

上升时间

33.3ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

53.5 ns

连续放电电流(ID)

5.8A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.025Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

宽度

3.95mm

长度

4.95mm

高度

1.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC