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首页 全部分类 DMN2041LSD-13 vs IRF7331TRPBF

DMN2041LSD-13备选型号: IRF7331TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2041LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.16W
    鸥翼
    260
    40
    DMN2041LSD
    8
    增强型MOSFET
    1.16W
    4.69 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    28m Ω @ 6A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    550pF @ 10V
    15.6nC @ 10V
    13.19ns
    20V
    6.43 ns
    7.63A
    12V
    7.6A
    30A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7331TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    -
    2W
    鸥翼
    -
    -
    IRF7331PBF
    -
    增强型MOSFET
    2W
    7.6 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    30m Ω @ 7A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1340pF @ 16V
    20nC @ 4.5V
    22ns
    -
    50 ns
    7A
    12V
    7A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    30MOhm
    20V
    7A
    Dual
    1.2V
    20V
    20V
    1.2 V
    Contains Lead, Lead Free
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