DMN2250UFB-7B备选型号: DMN2300UFD-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅代码
  • 引脚数量
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UFDFN
    3
    SILICON
    1.35A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    e4
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    260
    30
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    170m Ω @ 1A, 4.5V
    1V @ 250μA
    94pF @ 16V
    3.1nC @ 10V
    6.1ns
    20V
    ±8V
    25.4 ns
    1.35A
    8V
    0.25Ohm
    20V
    480μm
    1.08mm
    675μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UDFN
    3
    SILICON
    1.21A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    低阈值
    DUAL
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    -
    4.92 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 900mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    67.62pF @ 25V
    2nC @ 4.5V
    6.93ns
    20V
    ±8V
    10.62 ns
    1.73A
    8V
    0.2Ohm
    20V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    yes
    3
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