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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.350253
10
¥3.160618
100
¥2.981716
500
¥2.812937
1000
¥2.653717
Diodes Incorporated DMN2300UFD-7
- 收藏
- 对比
DMN2300UFD-7
671-DMN2300UFD-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-UDFN
大陆
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MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN2300UFD-7详情
Diodes Incorporated DMN2300UFD-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-UDFN
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.21A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
470mW Ta
Turn Off Delay Time
21.71 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
低阈值
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
4.92 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
200m Ω @ 900mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
67.62pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2nC @ 4.5V
上升时间
6.93ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
10.62 ns
连续放电电流(ID)
1.73A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏极-源极导通最大电阻
0.2Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN2300UFD-7拓展信息
Diodes Incorporated
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