DMN2550UFA-7B备选型号: DMG1012T-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电容量
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 触点镀层
- 供应商器件包装
- 质量
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC15 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN3SILICON600mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e4活跃1 (Unlimited)2EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)52.5pF无铅未说明未说明R-PSSO-N21Single增强型MOSFETDRAIN7.1 nsN-ChannelSWITCHING450m Ω @ 200mA, 4.5V1V @ 250μA52.5pF @ 16V0.88nC @ 4.5V11ns±8V36 ns600mA8V0.6A0.45Ohm20VROHS3 Compliant------------------
- MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-52314 Weeks表面贴装表面贴装SOT-5233-630mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012-活跃1 (Unlimited)--------1Single--5.1 nsN-Channel-400mOhm @ 600mA, 4.5V1V @ 250μA60.67pF @ 16V0.74nC @ 4.5V7.4ns±6V12.3 ns630mA6V--20VROHS3 CompliantTinSOT-5232.012816mg400MOhm150°C-55°C280mW20V1V60.67pF300mOhm400 mΩ800μm1.7mm850μm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDV303N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 | 对比 |





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